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J-GLOBAL ID:201702269669824844   整理番号:17A1224541

プロセスおよび温度補償を有する超低電圧CMOS電圧制御発振器

An Ultra-Low Voltage CMOS Voltage Controlled Oscillator with Process and Temperature Compensation
著者 (4件):
資料名:
巻: E100.C  号:ページ: 675-683(J-STAGE)  発行年: 2017年 
JST資料番号: U0468A  ISSN: 1745-1353  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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超低電圧(ULV)技術にとって,プロセスおよび温度の変動は深刻な関心事になっている。クロック発生器は,ULV超大規模集積回路(VLSI)の必須の構成部品である。サブしきい値の領域で動作するMOSFETは,ULV技術に広く適用されている。しかし,サブしきい値領域におけるMOSFETは,プロセスおよび温度変動が大きい。本論文は,クロック発生器のプロセスおよび温度変動を調べた。そして,温度およびプロセス補償を備えた超低電圧2.4GHz CMOS電圧制御発振器を示した。レーザトリミングなしでプロセスおよび温度変動を低減する,新しい全ディジタル自動補償機構を提案した。補償回路によって,VCOの周波数ドリフトは,温度変化に対して補償なしの場合の16.6倍改善した。更に,低ジッタ性能を示した。(翻訳著者抄録)
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発振回路 
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