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J-GLOBAL ID：201702269720241125   整理番号：17A1346125

InGaN/GaN青色発光ダイオードの逆方向漏れ電流のトンネルホッピング輸送モデル【Powered by NICT】

Tunneling-Hopping Transport Model for Reverse Leakage Current in InGaN/GaN Blue Light-Emitting Diodes

著者 (8件)： Zhao Linna (Department of Electronic Engineering, Engineering Research Center of IoT Technology Applications, Ministry of Education, Jiangnan University, Wuxi, China) ,  Chen Leilei (Department of Electronic Engineering, Engineering Research Center of IoT Technology Applications, Ministry of Education, Jiangnan University, Wuxi, China) ,  Yu Guohao (Nano Fabrication Facility, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, China) ,  Yan Dawei (Department of Electronic Engineering, Engineering Research Center of IoT Technology Applications, Ministry of Education, Jiangnan University, Wuxi, China) ,  Yang Guofeng (Department of Electronic Engineering, Engineering Research Center of IoT Technology Applications, Ministry of Education, Jiangnan University, Wuxi, China) ,  Gu Xiaofeng (Department of Electronic Engineering, Engineering Research Center of IoT Technology Applications, Ministry of Education, Jiangnan University, Wuxi, China) ,  Liu Bin (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Lu Hai (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 29  号： 17  ページ： 1447-1450  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 逆バイアス下でのGaN系発光ダイオード(LED)における電荷輸送の性質はまだ電流のバイアスと温度依存特性は単一輸送機構を用いて定式化できないとして不明である。本稿では,数値フィッティングに基づいて,InGaN/GaN青色LEDの逆方向漏れ電流の完全な電気的特性を記述するために複合トンネルホッピング輸送モデルを開発した。このモデルは電流挙動は主に中性n側近傍の空乏領域,価電子帯での電子温度に依存する電子擬Fermi準位(E_fn)近傍の非占有局在ギャップ状態へのトンネル,比較的一定E_fnに沿ったこれらの局在状態を介して可変飛程ホッピングまたは最近接ホッピング,準備がを通る電荷輸送過程によって制限されていることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ホッピング伝導 ,  *発光ダイオード ,  Fermi準位 ,  温度依存性 ,  *漏れ電流 ,  *窒化ガリウム ,  局在状態 ,  価電子バンド ,  電子温度 ,  バイアス
準シソーラス用語： 可変領域ホッピング ,  電荷輸送 ,  逆バイアス ,  *輸送モデル ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaN ,  GaN ,  青色発光ダイオード ,  漏れ電流 ,  トンネル ,  ホッピング ,  輸送モデル