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J-GLOBAL ID：201702269768198192   整理番号：17A0776094

ニッケルと金をドープしたn型シリコン材料のNTCと電気的性質【Powered by NICT】

NTC and electrical properties of nickel and gold doped n-type silicon material

著者 (6件)： Dong Maojin (Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry,Chinese Academy of Sciences) ,  Chen Zhaoyang (Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry,Chinese Academy of Sciences) ,  Fan Yanwei (Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry,Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Junhua (Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry,Chinese Academy of Sciences) ,  Tao Mingde (Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry,Chinese Academy of Sciences) ,  Cong Xiuyun (Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 30  号： 8  ページ： 52-55  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ニッケルと金のような深準位不純物による補償シリコン材料は負の温度係数(NTC)特性を持っている。本研究では,n型シリコンウエハは,塩化ニッケルエタノール溶液と金塩素酸エタノール溶液により塗布し,続いて開環境に熱することである。このシリコン材料で作製したサーミスタの電気抵抗とB値を測定し,解析した。金原子のシリコン表面濃度は2×10( 6)mol/cm~2であるとき,単結晶シリコン材料の均一性が最適である。拡散温度は九十万千~°Cであるとき,高いB値と低い電気抵抗率を持つ材料が得られた。半導体深準位エネルギーの理論により計算したB-TとR-T変化則は基本的に実験結果と一致した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 塩化ニッケル ,  *電気的性質 ,  *ニッケル ,  深い準位 ,  電気抵抗率 ,  *金 ,  サーミスタ ,  不純物 ,  半導体 ,  *ドーピング ,  *ケイ素 ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： 単結晶シリコン ,  シリコンウエハ ,  NTC【係数】 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 深準位不純物 ,  ニッケル ,  金 ,  NTC ,  電気的性質

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  モルタル,コンクリート  (RA06042H)

物質索引 (1件)： エタノール

タイトルに関連する用語 (5件)： ニッケルと金 ,  ドープ ,  N型シリコン ,  NTC ,  電気的性質