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J-GLOBAL ID：201702269798048074   整理番号：17A1271112

入力/出力DRAM周辺pMOSFETの低周波雑音性能の改善【Powered by NICT】

Improving the low-frequency noise performance of input/output DRAM peripheral pMOSFETs

著者 (9件)： Simoen E. (Imec, Leuven, Belgium) ,  O’Sullivan B.J. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Ritzenthaler R. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Litta E. Dentoni (Imec, Leuven, Belgium) ,  Schram T. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Horiguchi N. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Machkaoutsan V. (Assignees from Micron Technology, Inc, Leuven, Belgium) ,  Fazan P. (Assignees from Micron Technology, Inc, Leuven, Belgium) ,  Li Y. (Assignee from SK Hynix, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICNF  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)応用のための入力-出力(I/O)pMOSFETの線形動作における低周波雑音挙動を種々のプロセス条件について研究した:5nm SiO_2/2nm HfO_2/TiNスタックは堆積後SF_6プラズマ処理を施したウエハととTiN,TaN金属ゲートで置換した分割と比較した。雑音パワースペクトル密度の変動は後者の二つのケースではより高いが,主に1/f雑音を示す低雑音素子は一桁小さい酸化物トラップ密度を生じさせることを示した。は潜在的に,標準SiO_2/多結晶SiゲートI/Oトランジスタと同じ雑音性能を研究した代替プロセス条件により達成できることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 線形性 ,  トランジスタ ,  *雑音 ,  *DRAM ,  酸化物 ,  プラズマ処理 ,  *雑音特性 ,  パワースペクトル密度 ,  1/f雑音 ,  *低周波雑音 ,  ポリシリコン
準シソーラス用語： トラップ密度 ,  メタルゲート ,  窒化チタン ,  *pMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： DRAM ,  周辺 ,  pMOSFET ,  低周波 ,  雑音性能