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J-GLOBAL ID:201702269973008007   整理番号:17A1628142

低周波PECVDプロセスによるNをドープしたTiO_2多機能薄層の最適化【Powered by NICT】

Optimization of N-doped TiO2 multifunctional thin layers by low frequency PECVD process
著者 (9件):
資料名:
巻: 37  号: 16  ページ: 5289-5303  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0801B  ISSN: 0955-2219  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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350°C程度の低い温度で動作する,複数の低周波プラズマ増強化学蒸着(PECVD)プロセスは,単一配向純およびN添加アナターゼ膜を調製するために実行した。層はドーピング剤として前駆体,NH_3としてチタンイソプロポキシドを用いて合成した。厚さ500nmに近い均一なミクロ柱状多孔質薄膜を得るために可能にした最適化されたPECVD条件。蒸着室におけるアンモニア導入後TiO_2格子への窒素組込みを証明した深さプロファイリングXPS分析。Nドーピングのもう一つの証明として,RamanおよびXRDピークシフトが観察された。このような薄膜は活性領域はプラズマ相におけるドーピング剤の割合を調整することによって紫外から調整した可視領域にできる効率的光触媒材料として実証された。その微細構造と光触媒特性のために,調製した薄層は,太陽光水分解電池の陽極材料として関心を持つべきである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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セラミック・陶磁器の製造 

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