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J-GLOBAL ID：201702269974650212   整理番号：17A1258263

二重レンズ電子線ホログラフィによる二次元浅い接合マッピング【Powered by NICT】

2-D shallow junction mapping by dual lens electron holography

著者 (5件)： Wang Y. Y. (Globalfoundries Inc., 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY 12533, USA) ,  Nxumalo J. (Globalfoundries Inc., 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY 12533, USA) ,  Ontalus V. (Globalfoundries Inc., 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY 12533, USA) ,  Krishnasamy R. (Globalfoundries Inc, 1000 River Street, Essex Junction, VT 05452, USA) ,  Katnani A. (Globalfoundries Inc., 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY 12533, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IWJT  ページ： 34-37  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平面デバイス技術では,ゲートは,半導体デバイスのスケーリングに対応する狭くなると,浅い接合は漏れ電流を排水する源を制御する構造である。ゲートに相対してデバイス接合位置とソースとドレイン近傍のそのプロファイルの高空間分解能特性評価は複雑なプロセスのデバイスシミュレーション・指導に有用な入力を提供する。複合デバイスシミュレーションと接合特性は,開発のコストとサイクル時間を短縮できる。電子ホログラフィーは,電位,半導体素子における接合位置に直接関係することを測定した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電位 ,  *レンズ ,  半導体素子 ,  漏れ電流 ,  *二次元 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： サイクルタイム ,  デバイスシミュレーション ,  高空間分解能 ,  *浅い接合 ,  *電子線ホログラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： レンズ ,  電子線ホログラフィ ,  浅い接合 ,  マッピング