文献

J-GLOBAL ID：201702270070497392   整理番号：17A0445487

RF平面マグネトロンスパッタリングに及ぼす侵食溝効果【Powered by NICT】

The erosion groove effects on RF planar magnetron sputtering

著者 (4件)： Tadjine Rabah (Equipe Plasma & Applications, Division des Milieux ionises et Laser, Centre de Developpement des Technologies Avancees, CDTA, Cite du 20 Aout 1956, BP N°17, Baba-Hassen 16303, Algiers, Algeria) ,  Tadjine Rabah (Universite des Sciences et de la Technologie Houari Boumediene, USTHB, BP32 El Alia, Bab-Ezzouar 16111, Algiers, Algeria) ,  Alim Mounes M. (Equipe Plasma & Applications, Division des Milieux ionises et Laser, Centre de Developpement des Technologies Avancees, CDTA, Cite du 20 Aout 1956, BP N°17, Baba-Hassen 16303, Algiers, Algeria) ,  Kechouane Mohamed (Universite des Sciences et de la Technologie Houari Boumediene, USTHB, BP32 El Alia, Bab-Ezzouar 16111, Algiers, Algeria)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 309  ページ： 573-578  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マグネトロンスパッタリングはターゲットを侵食不均一,溝と呼ばれる円形ディープトレンチの形成,プラズマと薄膜蒸着特性に直接影響を有すると思われる,をもたらした。これらの効果は電気的パラメータと蒸着速度の測定により明らかにした。放電電気的等価プラズマインピーダンスの測定は,明らかに,ターゲット侵食効果の発生は侵食したターゲット溝の前に形成されるイオンシースの厚さに関係していることを示した。侵食したターゲットの影響,放電パラメータに及ぼす,特定の圧力遷移範囲(0.1 0.5Pa)から現れた。侵食したターゲットは自己バイアス電圧を50%下げ,堆積速度を低下させるほぼ40%,基板でのイオン電流密度が増加した。侵食されたターゲットの使用はプラズマ閉込めを改善し,電気的等価インピーダンスは容量が少なく,より抵抗性がある。著者らの結果は,プラズマインピーダンスを測定する溝形成を監視するためのツールとして使用される可能性があることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： イオン電流 ,  *浸食 ,  放電 ,  プラズマ閉込め ,  プラズマ ,  インピーダンス ,  堆積速度 ,  *マグネトロンスパッタリング
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  蒸着速度 ,  薄膜蒸着 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： RFプラズマ放電 ,  マグネトロンスパッタリング ,  ターゲットの侵食 ,  プラズマインピーダンス ,  プラズマ診断

分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  プラズマ装置  (BJ02082I)

タイトルに関連する用語 (3件)： RF ,  マグネトロンスパッタリング ,  侵食