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J-GLOBAL ID：201702270079906183   整理番号：17A1054445

RFスパッタされた触媒フリー成長ZnOナノ構造への堆積後アニールの影響

Effect of Post-Deposition Annealing on RF-Sputtered Catalyst-Free Grown ZnO Nanostructures

著者 (2件)： SRIVASTAVA Amit (Motilal Nehru National Inst. Technol. Allahabad, Allahabad, IND) ,  KUMAR Naresh (Motilal Nehru National Inst. Technol. Allahabad, Allahabad, IND)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 8  ページ： 4842-4847  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,太陽電池やオプトエレクトロニクスデバイス等の分野に対する有望な材料として,触媒を含まない(001)配向の酸化亜鉛(ZnO)ナノ構造を,室温でSi(100)基板上にRFスパッタリングによって堆積し,その構造,特性を解析した。ZnOナノ構造の堆積後アニールにより,ZnOナノ構造の形態,成長品質が改善した。また,AFMデータから,粒成長および焼きなまし温度の上昇とともに粒径および表面粗さが増加することも観察された。バンドギャップをUV-vis領域の反射率スペクトルを用いて計算した。アニール温度/結晶粒径の増加に伴い,光学バンドギャップは3.19eVから3.09eVに減少した。高い温度でアニールした膜のバンドギャップの減少は,酸素欠損の減少に起因すると考えられた。

シソーラス用語： *RFスパッタリング ,  ナノ構造 ,  太陽電池 ,  *酸化亜鉛 ,  性能分析 ,  光学ギャップ ,  *焼なまし
準シソーラス用語： *ZnO ,  *アニール処理 ,  光学バンドギャップ ,  特性解析

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  非鉄金属材料  (WE03000D)

タイトルに関連する用語 (7件)： RFスパッタ ,  触媒 ,  成長 ,  ZnO ,  ナノ構造 ,  堆積 ,  アニール