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J-GLOBAL ID：201702270206051097   整理番号：17A0400611

InPプラットフォーム上のInP AWGとInGaAsフォトダイオードのモノリシック集積化【Powered by NICT】

Monolithic integration of a InP AWG and InGaAs photodiodes on InP platform

著者 (7件)： Lv Qianqian (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science, Beijing 100083, China) ,  han Qin (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science, Beijing 100083, China) ,  Pan Pan (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science, Beijing 100083, China) ,  Pan Pan (School of Physics and Electrical Engineering, Anqing Normal University, Anqing, Anhui Province 246133, China) ,  Ye Han (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science, Beijing 100083, China) ,  Yin Dongdong (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science, Beijing 100083, China) ,  Yang Xiaohong (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science, Beijing 100083, China)
資料名： Optics & Laser Technology  (Optics & Laser Technology)
巻： 90  ページ： 122-127  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0245B  ISSN： 0030-3992  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトダイオードアレイのモノリシック集積とAWGトップクラッド層とフォトダイオードpドープ層の間の浅いトレンチ構造を有するInP基板上に成長させた13チャネルアレイ導波路回折格子(AWG)を実証した。平滑エピタキシャル構造界面は二エピタキシャル構造は互換性と製造容易にする非選択的再成長により得られた。三次元有限差分時間領域(FDTD)解を光学シミュレーションで使用されている。最高シミュレーション量子効率は82%を達成することができる。トレンチ構造を用いて作製したPDは0.68A/Wの応答性を示した。集積素子は200Gb/s以上の総容量を達成することができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  量子効率 ,  ドーピング ,  エピタクシー ,  *フォトダイオード ,  応答特性 ,  三次元 ,  界面 ,  有限差分時間領域法 ,  *リン化インジウム ,  互換性
準シソーラス用語： 再成長 ,  トレンチ ,  クラッド層 ,  *モノリシック集積化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 光検出器アレイ ,  モノリシック ,  エバネセント結合 ,  アレイ導波路回折格子

分類 (1件)： 光デバイス一般  (BD06010L)

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  プラットフォーム ,  AWG ,  InGaAs ,  フォトダイオード ,  モノリシック集積化