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J-GLOBAL ID：201702270258280895   整理番号：17A0911188

フッ素プラズマ処理を用いた正ゲートバイアスストレス下のα-InGaZnO薄膜トランジスタの改良された安定性【Powered by NICT】

Improved Stability of $¥alpha $ -InGaZnO Thin-Film Transistor under Positive Gate Bias Stress by Using Fluorine Plasma Treatment

著者 (3件)： Huang X. D. (Key Laboratory of MEMS of the Ministry of Education, School of Electronic Science and Technology, Southeast University, Nanjing, China) ,  Song J. Q. (Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Hong Kong) ,  Lai P. T. (Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Hong Kong)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 5  ページ： 576-579  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 正ゲートバイアスストレス(PGBS)-誘起不安定性とInGaZnO薄膜トランジスタ(TFT)の不安定性に及ぼすふっ素処理の効果の起源を調べた。デバイスの誘電体/InGaZnO界面とInGaZnOバックチャネルに及ぼすふっ素処理はそれらの電気的性質を調節することができる。種々フッ素処理をもつTFTを特徴づけることによって,バックチャネルよりもむしろ誘電体/InGaZnO界面は,PGBS不安定性を支配することが分かった。バックチャネル近傍水分吸収により誘起された電子は室温でPGBS下でバックチャネルから移動界面に,しきい値電圧低下をもたらした。さらに,バックチャネルに及ぼすふっ素処理はフッ素不動態化に起因する減少した水分吸収によるPGBS不安定性を効果的に抑制する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不動態化 ,  不安定性 ,  電気的性質 ,  *フッ素 ,  フッ素添加 ,  吸水 ,  *プラズマ処理 ,  誘電体 ,  *薄膜トランジスタ ,  界面
準シソーラス用語： 閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： フッ素 ,  プラズマ処理 ,  ゲートバイアス ,  ストレス ,  トランジスタ ,  安定性