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J-GLOBAL ID：201702270266842450   整理番号：17A1996789

半導体および金属の機械的強度におけるサイズ効果:転位を介した塑性変形による歪み緩和

The size effect in the mechanical strength of semiconductors and metals: Strain relaxation by dislocation-mediated plastic deformation

著者 (1件)： DUNSTAN David J. (Queen Mary Univ. London, London, GBR)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 32  号： 21  ページ： 4041-4053  発行年： 2017年11月14日 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Jan.H van der Merweの結晶エピタキシーに関する研究は,エピタキシャル歪み層の安定性を予測する臨界膜厚理論を導いた。この理論は,半導体科学技術のこの分野で十分に開発され,利用されてきた。インターネット,携帯電話,そしてそれ以降の第4次産業革命と呼ばれる技術の大部分で重要な技術を支えた。しかし,冶金学やマイクロメカニクスの平行開発が重要であったが,この理解は見落とされていた。そこで本レビューでは,van der Merweの理論における歪みのない基材に対する明らかな必要性,歪み勾配に対する想定外の適用性,想定外のHall-Petch効果(強度の粒度依存性),および降伏点ではなく歪み硬化の理解に重点を置く,以上4つの理由を特定した。特に,これらの4つの点に言及すると,ここではvan der Merweの洞察とLawrence Braggによる初期の研究の見解がHall-Petch効果から歪み勾配塑性理論効果に及ぶサイズ効果現象を一貫して統一的にどのように導くかを示した。

シソーラス用語： *エピタクシー ,  単結晶 ,  化合物半導体 ,  薄膜 ,  理論 ,  降伏点 ,  歪硬化 ,  サイズ効果 ,  転位【結晶】 ,  応力歪特性 ,  *緩和現象 ,  *塑性変形 ,  *機械的強度 ,  *半導体 ,  *金属
準シソーラス用語： Hall-Petch則 ,  エピタクシー成長 ,  臨界厚理論 ,  歪緩和 ,  歪勾配塑性

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 機械的強度 ,  サイズ効果 ,  転位 ,  塑性変形 ,  歪み緩和