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J-GLOBAL ID：201702270361176919   整理番号：17A0863954

低In,Ga領域における低湿塗布プロセスIGZO薄膜トランジスタの作製と評価

Fabrication and evaluation of low temperature solution processed IGZO thin film transistor with low rare metal composition

著者 (5件)： 工藤一浩 (千葉大) ,  田中光 (千葉大) ,  山内博 (千葉大) ,  岡田悠悟 (千葉大) ,  酒井正俊 (千葉大)
資料名： 電気学会誘電・絶縁材料研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： DEI-17  号： 63-71  ページ： 29-32  発行年： 2017年06月29日 
JST資料番号： Z0908B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  半導体プロセス ,  低温 ,  フレキシブル基板 ,  紫外線 ,  オゾン処理
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  低温プロセス ,  フレキシブルデバイス

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ga ,  塗布プロセス ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ ,  作製 ,  評価