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J-GLOBAL ID:201702270381408961   整理番号:17A0955296

2-トランジスタ2-磁気-トンネル-接合セルに基づく埋め込みスピン伝達トルク磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ上の酸化物トンネル・バリア絶縁破壊に基づく長期の信頼できる物理的アンクロナブル関数

Long-term reliable physically unclonable function based on oxide tunnel barrier breakdown on two-transistors two-magnetic-tunnel-junctions cell-based embedded spin transfer torque magnetoresistive random access memory
著者 (6件):
資料名:
巻: 56  号: 4S  ページ: 04CN07.1-04CN07.4  発行年: 2017年04月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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スピントロニックの多様な適用の中で,もののインターネット(IoT)デバイスの保護は,最も重要なものの1つである。スピン・デバイス(スピン伝達トルク磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ,STT-MRAM)での物理的アンクロナブル関数(PUF)を提示した。酸化物トンネル・バリア絶縁破壊を,PUFsの長期の安定性を実現させるのに用いた。安全なPUFは,65nmのCMOS技術を使用して作った32ビットSTT-MRAM-PUFのハミング距離を評価することによって確かめた。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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固体デバイス計測・試験・信頼性 
引用文献 (31件):
  • X. Liu, J. Zhou, C. Wang, K. Chang, J. Lan, L. Liao, Y. Lam, Y. Yang, B. Wang, X. Zhang, W. Goh, T. Kim, and M. Je, IEEE Trans. Circuits Syst. II 62, 1149 (2015).
  • D. Lim, J. Lee, B. Gassend, G. Suh, M. van Dijk, and S. Devadas, IEEE Trans. VLSI Syst. 13, 1200 (2005).
  • J. W. Lee, D. Lim, B. Gassend, G. E. Suh, M. van Dijk, and S. Devadas, Symp. VLSI Circuits Dig. Tech. Pap., 2004, p. 176.
  • G. E. Suh and S. Devadas, Proc. 44th Annu. Design Automation Conf. (DAC), 2007, p. 9.
  • A. Maiti, J. Casarona, L. McHale, and P. Schaumont, Proc. IEEE Int. Symp. Hardware Oriented Security and Trust (HOST), 2010, p. 94.
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