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J-GLOBAL ID：201702270429801293   整理番号：17A0574984

Ga_xIn_1-xSbトンネル障壁を組み込んだInSbナノワイヤによるMajoran素子

InSb Nanowires with Built-In Ga_xIn_1-xSb Tunnel Barriers for Majorana Devices

著者 (16件)： CAR Diana (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  CONESA-BOJ Sonia (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  ZHANG Hao (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  OP HET VELD Roy L. M. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  DE MOOR Michiel W. A. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  FADALY Elham M. T. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  GUEL Oender (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  KOELLING Sebastian (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  PLISSARD Sebastien R. (LAAS, CNRS, Toulouse, FRA) ,  TORESEN Vigdis (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  WIMMER Michael T. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  WATANABE Kenji (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  TANIGUCHI Takashi (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  KOUWENHOVEN Leo P. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  BAKKERS Erik P. A. M. (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  BAKKERS Erik P. A. M. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 2  ページ： 721-727  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トポロジカル量子ビットの主要候補であるMajoranゼロモードはトンネルスペクトルの測定においてゼロバイアスのコンダクタンスピーク(ZBP)として検出される。次世代Majoran素子における狭くて高いトンネル障壁の組込は理論的に予測されるZBPの量子化の高さの達成を助ける。本報は材料指向アプローチによってInSbナノワイヤ中に薄いGa_xIn_1-xSb軸セグメントを作製することにより鋭く狭いトンネル障壁を形成する方法を提案した。前駆体モル分率および成長時間を変えて障壁組成および長さを正確に制御した。実測電流電圧特性のWentzel-Kramers-Brillouin(WKB)あてはめによりGa_xIn_1-xSbトンネル障壁の高さおよび幅を求めた。

シソーラス用語： アンチモン化物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  アンチモン化インジウム ,  *ポテンシャル障壁 ,  *結晶成長 ,  ナノワイヤ ,  電流電圧特性 ,  *量子情報 ,  WKB法 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  格子歪 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *束縛状態 ,  コンダクタンス ,  量子計算
準シソーラス用語： HAADF-STEM ,  *Majorana束縛状態 ,  アンチモン化ガリウムインジウム ,  トポロジカル量子計算 ,  *トンネル障壁 ,  *量子ビット

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (3件)： トンネル障壁 ,  InSb ,  ナノワイヤ