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J-GLOBAL ID：201702270503086103   整理番号：17A1060345

n型Cu_0.008Bi_2Te_2 7Se_0における熱電性能を強化するためのバナジウムによるドーピングとバンドエンジニアリング【Powered by NICT】

Doping and band engineering by vanadium to enhance the thermoelectric performance in n-type Cu_0.008Bi₂Te_2.7Se_0.3

著者 (9件)： Lee Jeong Hoon (Department of Electrical Engineering, Kwangwoon University, Seoul 01897, South Korea) ,  Lee Kyu Hyoung (Department of Nano Applied Engineering, Kangwon National University, Chuncheon 24341, South Korea) ,  Kim Sung Wng (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, South Korea) ,  Kim Sang Il (Department of Materials Science and Engineering, University of Seoul, Seoul 02504, South Korea) ,  Choi Soon-Mok (School of Energy, Materials and Chemical Engineering, Korea University of Technology and Education, Cheonan 31253, South Korea) ,  Kim Jong-Young (Icheon Branch, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology, Icheon 17303, South Korea) ,  Kim Se Yun (Materials R&D Center, Samsung Advanced Institute of Technology, Samsung Electronics, Suwon 16419, South Korea) ,  Roh Jong Wook (Materials R&D Center, Samsung Advanced Institute of Technology, Samsung Electronics, Suwon 16419, South Korea) ,  Park Hee Jung (Advanced Materials Engineering, Daejeon University, Daejeon 34520, South Korea)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 517  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sc,Ti,Vをドープしたn型Cu_0 0.008Bi_2Te_2 7Se_0の多結晶バルクは融液凝固と放電プラズマ焼結により調製し,それらの熱電輸送特性を調べた。Cu_0 0.008Bi_2Te_2 7Se_0の格子熱伝導率はBiサイトに及ぼすSc,TiおよびV原子の置換によって強化された点欠陥フォノン散乱によりやや削減された。一方,Cu_0 0.008Bi_2Te_2 7Se_0の力率はVのドーピングによって顕著に増大した。実験および理論的考察によって,Vドーピングにより向上したパワーファクタはFermi準位で修飾したDOSによる状態の増加した密度(DOS)有効質量に起因することが分かった。結果として,300Kで0.85の増強されたzTは1at%VドープCu_0 0.008Bi_2Te_2 7Se_0(Cu_0 0.008Bi_1 0.98V_0 0.02Te_2 7Se_0,3)で得られた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 多結晶 ,  *バナジウム ,  力率 ,  凝固 ,  Fermi準位 ,  点欠陥 ,  *ドーピング ,  有効質量 ,  放電プラズマ焼結
準シソーラス用語： フォノン散乱 ,  格子熱伝導率 ,  輸送特性 ,  融液 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Bi_2Te_2 7Se_0 3 ,  熱電 ,  格子熱伝導率 ,  力率 ,  ドーピング

分類 (3件)： ガラスの性質・分析・試験  (YC02030Z) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強化 ,  バナジウム ,  ドーピング ,  バンド ,  エンジニアリング