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J-GLOBAL ID：201702270659602322   整理番号：17A1646239

GaN-on-Si Schottkyダイオードにおける陰極関連捕獲効果の理解について【Powered by NICT】

On the understanding of cathode related trapping effects in GaN-on-Si Schottky diodes

著者 (10件)： Vandendaele W. (CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054) ,  Lorin T. (CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054) ,  Gwoziecki R. (CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054) ,  Baines Y. (CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054) ,  Biscarrat J. (CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054) ,  Jaud M.A. (CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054) ,  Gillot C. (CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054) ,  Charles M. (CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054) ,  Plissonnier M. (CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054) ,  Reimbold G. (CEA LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble, FRANCE F-38054)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ESSDERC  ページ： 126-129  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si SBD(Schottky障壁ダイオード)上のGaNにおける陰極関連電流崩壊効果を本論文で研究した。ダイオードとゲートVDP(Van Der Pauw)上の静電容量と電流緩和測定は温度依存動的R_on過渡解析カソードでの電流崩壊の主要部分は不動態化層中の電子捕獲の組み合わせから,GaNバッファ層(Ea=E_t-E_v~0.9eV)中の炭素に関係した正孔トラップに入ることを示したと関連している。これら二寄生効果は,逆バイアスストレス後の長い回復時間(>1ks)につながる可能性がある。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *捕獲 ,  電子捕獲 ,  温度依存性 ,  不動態化 ,  *ダイオード ,  過渡解析 ,  電流 ,  静電容量 ,  炭素 ,  バッファ層
準シソーラス用語： 回復時間 ,  逆バイアス ,  正孔トラップ ,  緩和時間測定法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  Si ,  Schottkyダイオード ,  陰極 ,  捕獲 ,  理解