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J-GLOBAL ID:201702270685757670   整理番号:17A0658462

アーク溶解によるTi-Siメルト中の酸素の除去

Removal of Oxygen in Ti-Si Melts by Arc-Melting
著者 (5件):
資料名:
巻: 58  号:ページ: 613-618(J-STAGE)  発行年: 2017年 
JST資料番号: G0668A  ISSN: 1345-9678  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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アーク溶解中のTi-Siメルト(Si:9.1~30mass%)からの酸素除去を調べた。大気圧でのArまたはHe流条件下で溶解させた高酸素含有量(高<span style=text-decoration:overline>O_</span>Ti:1.6mass%)のTi,または市販の純Ti(CP Ti<span style=text-decoration:overline>O_</span>:0.104mass%)のどちらかへ高純度Siを添加した。23mass%および30mass%のSi添加では,Ti-Siインゴットの酸素含有量が減少した。溶解後,SiおよびアモルファスSiO<sub>2</sub>粉末をチャンバ内に観察したが,メルト中の酸素がSiOガスの形態で除去されたことを示唆した。溶解後のTi-Siインゴットの酸素含有量は,インゴット内の位置の関数として変化した。すなわち,残留酸素含有量はインゴットの頂部で最も低く,底部で最も高かった。Arガス流の下では,高<span style=text-decoration:overline>O_</span>Ti-30Siインゴットの酸素含有量は,それぞれインゴットの上部および中央部で0.136mass%および0.609mass%に減少した。同様に,CP Ti-30Siインゴットの酸素含有量は,それぞれ頂部および中心部において0.030mass%および0.051mass%に減少した。Heガス流下で溶解後のCP Ti-30Siインゴットの酸素分はそれぞれ0.020mass%,0.021mass%,0.029mass%であった。Heガスを用いて溶解した領域を深さ方向に伸長させ,Heガス流の方がArガス流よりもインゴットの酸素分布の均一性が向上した。溶解中,TiおよびSiの顕著な蒸発は起こらず,このことは真空中で起こる電子ビーム溶解よりも大気圧で作動するアーク溶解の利点である。(翻訳著者抄録)
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