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J-GLOBAL ID：201702270709150288   整理番号：17A1248821

バイアスされた半導体上のナノスケール接着と滑り【Powered by NICT】

Nanoscale adhesion and sliding on biased semiconductors

著者 (4件)： Mukherjee A. (Institut de Physique et Chimie des Materiaux de Strasbourg, CNRS, Universite de Strasbourg, F-67034 Strasbourg, France. [e-mail]) ,  Craciun A. D. ,  Gallani J. L. ,  Rastei M. V.
資料名： Faraday Discussions  (Faraday Discussions)
巻： 199  ページ： 323-334  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0377A  ISSN： 1359-6640  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンoxide/siliconウエハの表面と接触した導電性原子間力顕微鏡チップをもたらすことにより実現モデル接触に対する電場によるナノスケール滑り摩擦と接着の制御に関する実験的及び理論的結果を提示した。シリコン(または導電性チップ)にバイアス電圧を印加する滑り力の顕著な制御を可能にすることを見出した。二静電相互作用を,印加電圧の関数として摩擦変動に関連するものとして同定された。第一のメカニズムは,酸化silicon/siliconとtip/silicon酸化物界面での局在した反対電荷間の短距離静電相互作用である。引力相互作用は酸化物-半導体界面の高容量に起因するバイアス電圧に応答してその電荷密度を変化させる。シリコン電子バンドの整列と変形から生じる帯電の種々の領域を明らかにした。は主に強い電荷蓄積と反転分域に焦点を当てた。第二長距離静電相互作用は,両チップと試料の電圧誘起バルクと表面電荷の間であった。この相互作用は,チップとシリコン表面,すなわち酸化膜厚間の距離と非常にゆっくりと減少し,電圧極性に依存して,引力あるいは反発することができた。著者らの結果は,半導体を含むナノスケール接触におけるナノスケール摩擦/付着を制御する可能性を実証した。これらの結果は,ナノスケール素子の動作や金属ナノ粒子の表面上のナノ操作に関連している。チップ-表面結合エネルギーは,垂直力の増加または減少に最終的に滑り摩擦の翻訳への静電エネルギーの寄与を加えることにより実験結果をモデル化した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 帯電 ,  導電性 ,  *半導体 ,  酸化 ,  酸化膜 ,  *接着 ,  酸化物 ,  滑り摩擦 ,  電圧 ,  静電相互作用 ,  界面 ,  ケイ素 ,  モデリング
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 界面化学一般  (CB12010J)

タイトルに関連する用語 (2件)： ナノスケール ,  滑り