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J-GLOBAL ID：201702270927267535   整理番号：17A1254704

種々の温度での気相Zn拡散In_0In0.53Ga_0Ga0.47As nTFETsのトランジスタ効率の解析【Powered by NICT】

Analysis of the transistor efficiency of gas phase Zn diffusion In_0.53Ga_0.47As nTFETs at different temperatures

著者 (11件)： Bordallo C. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Brazil) ,  Martino J. A. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Brazil) ,  Agopian P. G. D. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Brazil) ,  Alian A. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Mols Y. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Rooyackers R. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Vandooren A. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Verhulst A. S. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Simoen E. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Claeys C. (Imec, Leuven, Belgium) ,  Collaert N. (Imec, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EUROSOI-ULIS  ページ： 109-112  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,温度の影響と気相Zn拡散を用いて作製したIn_0In0.53Ga_0Ga0.47As nTFETsの異なる等価酸化膜厚(EOT)を解析した。異なるデバイスは,ゲートスタックにおける3nm HfO_2(EOT1nm)または2nm HfO_2の(EOT0.8nm)であった。等価酸化膜厚(EOT)0.8nmの使用は,バンド間トンネリング発生を増加し,サブしきい値領域特性を改善し,室温でサブ60mV/decの最小サブスレッショルドスイング(56mV/dec)を呈した,弱い伝導におけるより良い効率をもたらした。温度の影響を考慮して,オン状態電流はバンド間トンネリング機構に起因するオフ状態電流よりも影響が少なかった。サブしきい値領域では,温度減少,オフ状態電流を強く減少させる,バンド間トンネル電流を可能にするより支配的であること,優れた閾値下スイングと,その結果,弱い伝導レジームでの優れたトランジスタ効率をもたらした。デバイスを加熱,サブしきい値領域におけるバンド-バンドトンネリングの影響を低減する,弱い伝導領域におけるサブしきい値スイングとトランジスタ効率の両方を分解すると反対の挙動が生じた。強い伝導領域では,トランジスタは相互コンダクタンス傾向に従い,より高い温度では増加した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  *気相 ,  *トランジスタ ,  相互コンダクタンス ,  トンネル効果 ,  *亜鉛
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  トンネル電流 ,  オフ状態 ,  オン状態 ,  サブ閾値 ,  ゲートスタック ,  等価酸化膜厚 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 気相 ,  Zn ,  拡散 ,  トランジスタ ,  解析