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J-GLOBAL ID：201702270953264435   整理番号：17A0509839

ダイヤモンドアンビルセル中の数層MoS₂の加圧電界効果トランジスタ

Pressurizing Field-Effect Transistors of Few-Layer MoS₂ in a Diamond Anvil Cell

著者 (16件)： CHEN Yabin (Univ. California, California, USA) ,  KE Feng (Center for High Pressure Sci. and Technol. Advanced Res., Shanghai, CHN) ,  CI Penghong (Univ. California, California, USA) ,  KO Changhyun (Univ. California, California, USA) ,  PARK Taegyun (Univ. California, California, USA) ,  SAREMI Sahar (Univ. California, California, USA) ,  LIU Huili (Univ. California, California, USA) ,  LIU Huili (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  LEE Yeonbae (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  SUH Joonki (Univ. California, California, USA) ,  MARTIN Lane W. (Univ. California, California, USA) ,  AGER Joel W. (Univ. California, California, USA) ,  AGER Joel W. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  CHEN Bin (Center for High Pressure Sci. and Technol. Advanced Res., Shanghai, CHN) ,  WU Junqiao (Univ. California, California, USA) ,  WU Junqiao (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 1  ページ： 194-199  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電界効果トランジスタ(FFET)配置と流体静力学的な加圧効果を組み合わせることで,既知の相空間を超えた新しい物理的特性や相が出現しうる。本研究では,チャネル半導体としてMoS₂を,誘電層としてBNを用い,ダイヤモンドアンビルセル(DAC)中で,多重端末FETsを,キューレット上にリソグラフィーによりパターン形成した。MoS₂の移動度,コンダクタンス,キャリア濃度,および接触コンダクタンスを圧力によって著しく増大できることを見出した。

シソーラス用語： *ダイヤモンドアンビル ,  *硫化モリブデン ,  *圧力効果 ,  *FET【トランジスタ】 ,  静水力学 ,  窒化ホウ素 ,  リソグラフィー ,  パターン形成 ,  キャリア移動度 ,  コンダクタンス ,  キャリア密度
準シソーラス用語： *ダイヤモンドアンビルセル ,  *二硫化モリブデン ,  *電界効果トランジスタ ,  流体静力学 ,  誘電層 ,  キャリア濃度

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイヤモンドアンビルセル ,  MoS2 ,  加圧 ,  電界効果トランジスタ