文献
J-GLOBAL ID:201702270964038347   整理番号:17A1482905

C_2H_5OH/Arプラズマで作製したCoFeB磁性薄膜の異方性エッチング【Powered by NICT】

Anisotropic etching of CoFeB magnetic thin films in C2H5OH/Ar plasma
著者 (6件):
資料名:
巻: 637  ページ: 49-54  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
TiNハードマスクパターン化されたCoFeB薄膜のエッチ特性をC_2H_5OH/Ar混合ガス中の誘導結合プラズマ反応性イオンエッチングにより調べた。エッチプロフィルに及ぼすガス混合物濃度,高周波コイル電力,dcバイアス電圧,及びプロセス圧力の影響を調べた。高度異方性のエッチングプロファイルは25%から50%にC_2H_5OH濃度で達成された。さらにエッチプロファイルの異方性の程度はC_2H_5OH濃度減少で増加した。rfコイル電力とdcバイアス改善されエッチプロファイルが増加し,プロセス圧力は減少した。発光分光法はプラズマ中に,他のものの中で,[C],[H],[O]及び[Ar]種の存在を示したが,CoFeB薄膜表面のX線光電子分光分析は,Co,Fe,およびB酸化物の存在,および炭素含有化合物の沈着を認めた。結果は,エッチ機構は物理的スパッタリング,C_xH_y抑制層の膜と形成の酸化による支援によって駆動されることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般  ,  金属薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る