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J-GLOBAL ID：201702271062344561   整理番号：17A0544802

低圧化学蒸着による単結晶から連続グラフェンへの成長に対する制限した水素と流動間隔の役割

Role of limited hydrogen and flow interval on the growth of single crystal to continuous graphene by low-pressure chemical vapor deposition

著者 (5件)： BORAH Munu (CSIR, New Delhi, IND) ,  PATHAK Abhishek K (CSIR, New Delhi, IND) ,  SINGH Dilip K (CSIR, New Delhi, IND) ,  PAL Prabir (CSIR, New Delhi, IND) ,  DHAKATE Sanjay R (CSIR, New Delhi, IND)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 7  ページ： 075602,1-13  発行年： 2017年02月17日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無欠陥大結晶グラフェンの潜在的応用は非常に大きいことが予測される。これを達成するためには基板の性質に加え,最近では水素と表面酸素のグラフェンの品質に対する影響が研究されている。本稿では,水素利用の安全性課題を考慮した最小流量におけるグラフェン生産のためのH₂ガスの流動間隔の役割を論じた。成長のために用いる銅基板を成長の前に異なる時間間隔(0から35分)H2流動により処理した。銅基板表面で起こる構造と化学的変化をすれすれ入射X線回折とX線光電子分光法によりプローブした。その結果,Raman分光法によりグラフェンの品質を定量化できることを示した。H₂流動間隔の増加とともに,二次核形成部位が観察され,それが数層グラフェン構造の成長のために好ましいことを示した。水素流動間隔の増加とともに,酸素分子表面吸着が発生し,またとOH末端表面へのその変換も起こり,それが核形成密度を増強するためのキー因子であることを見出した。水素流動間隔の違いにより,Stranski-Krastanov型成長またはVolmer-Weber型成長のどちらかが観察された。

シソーラス用語： *グラフェン ,  *水素 ,  *LPCVD ,  *流量 ,  流動 ,  結晶成長 ,  基板 ,  酸素 ,  化学反応 ,  X線光電子分光法 ,  Raman分光法 ,  核形成 ,  ヒドロキシ基 ,  Stranski-Krastanov成長 ,  触媒
準シソーラス用語： Volmer-Weber成長 ,  すれすれ入射X線回折 ,  構造変化 ,  酸素分子 ,  時間間隔 ,  銅基板 ,  表面吸着

分類 (2件)： 原子と光子の相互作用  (BH03060F) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 低圧化学蒸着 ,  単結晶 ,  グラフェン ,  成長 ,  制限 ,  水素 ,  流動 ,  役割