文献

J-GLOBAL ID：201702271068341651   整理番号：17A1651369

異なる金属ゲート仕事関数における10nm FinFETの電気特性に及ぼすフィン幅スケーリングの影響【Powered by NICT】

Impacts of fin width scaling on the electrical characteristics of 10-nm FinFET at different metal gate work function

著者 (3件)： Othman N. A. F. (Department of Electrical Engineering, University of Malaya, Kuala Lumpur, Malaysia) ,  Hatta S. F. Wan Muhamad (Department of Electrical Engineering, University of Malaya, Kuala Lumpur, Malaysia) ,  Soin N. (Department of Electrical Engineering, University of Malaya, Kuala Lumpur, Malaysia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： RSM  ページ： 256-259  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,デバイスの電気的性能に及ぼすp型およびn型10nm FinFETのトップフィン幅スケーリング(W_top=4 6 8nm)の影響を調べた,特に低い性能(LP)と高速(Hp)デバイスのための最適化した。研究はデバイス性能への金属仕事関数の相関を研究した。伝達特性は,pおよびn FinFETの両方に対してW_top増加に対する線形領域のドレイン電流を増加させることを観測した。仕事関数が増加するとしきい値電圧はp FinFETのための右にシフトした。逆n FinFETのための,仕事関数減少として左にシフトした。I_on/I_off比幅増加とともに減少した。フィン幅が4nmから8nmに変化したとき,低性能デバイスのためのI_on/I_off比の観察はFinFETとp FinFETの63%と82%に大きさ低下を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *フィン ,  *仕事関数 ,  最適化 ,  線形性 ,  *電気特性 ,  高速度
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  ドレイン電流 ,  伝達特性 ,  *FinFET ,  *メタルゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 金属ゲート ,  仕事関数 ,  FinFET ,  電気特性 ,  フィン ,  スケーリング