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J-GLOBAL ID：201702271082300490   整理番号：17A0214197

BEOLは将来の相互接続のための改良されたエレクトロマイグレーション寿命と互換性のあるグラフェン/銅【Powered by NICT】

BEOL compatible graphene/Cu with improved electromigration lifetime for future interconnects

著者 (6件)： Li Ling (Department of Electrical Engineering and Stanford SystemX Alliance, Stanford University, Stanford, CA, USA) ,  Zhu Zhongwei (Lam Research Corp., Fremont, CA, USA) ,  Wang Tao (Department of Electrical Engineering and Stanford SystemX Alliance, Stanford University, Stanford, CA, USA) ,  Currivan-Incorvia Jean A. (Department of Electrical Engineering and Stanford SystemX Alliance, Stanford University, Stanford, CA, USA) ,  Yoon Alex (Lam Research Corp., Fremont, CA, USA) ,  Wong H.-S. Philip (Department of Electrical Engineering and Stanford SystemX Alliance, Stanford University, Stanford, CA, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 9.5.1-9.5.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は400°C以下でパターン形成したCuワイヤ上に直接グラフェンを成長し,バックエンドオブラインプロセス(BEOL)の熱予算内でする方法を実証した。プロセスフローは高度な相互接続技術のための直接エッチングCuプロセスと互換性がある。グラフェン/銅複合体は2×低い抵抗率,1.4倍高い破壊電流密度と堆積したままのCuよりも40×長いエレクトロマイグレーション(EM)寿命を示した。グラフェン/Cuのエレクトロマイグレーション性能は,Cu上に2nmのCoWPよりも10倍良好であり,業界標準3nm CoWPキャッピング層と同等であった。DFT計算は,元のin-situ成長したグラフェンとCuの間の結合は,Cu原子は外力に対してより弾力的にすることを明らかにした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *銅 ,  *グラフェン ,  複合体 ,  *相互接続 ,  密度汎関数法 ,  パターン形成 ,  電気抵抗率 ,  *エレクトロマイグレーション ,  金属線 ,  電流密度 ,  *互換性 ,  エッチング
準シソーラス用語： *BEOL , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： BEOL ,  相互接続 ,  エレクトロマイグレーション ,  寿命 ,  互換性 ,  グラフェン ,  銅