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J-GLOBAL ID：201702271261749695   整理番号：17A0333121

S帯600W,X帯200Wを実現したレーダー送信機用GaN HEMT

S-Band 600 W GaN HEMT and X-Band 300 W GaN HEMT for Radar Applications

著者 (5件)： 宮澤直行 (住友電工デバイス・イノベーション) ,  西原信 (住友電工デバイス・イノベーション) ,  宇佐美邦博 (住友電工デバイス・イノベーション) ,  青嶋真 (住友電工デバイス・イノベーション) ,  山本高史 (住友電工デバイス・イノベーション)
資料名： SEIテクニカルレビュー  (住友電気)
号： 190  ページ： 138-142  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： F0314A  ISSN： 1343-4330  CODEN： SUDEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaN HEMTを用いたS帯600W,X帯200Wの高出力・高効率・内部整合型増幅器の製品化について報告する。レーダー用送信機の固体素子化に向けて,GaNデバイスのさらなる高出力化が期待されている。S帯においては主に航空管制レーダー向けに2.7-2.9GHzの帯域で出力600W以上,パワーゲイン12.8dB以上,ドレイン電力付加効率59%を有する完全50Ω整合型のGaN HEMT,およびX帯においては主に船舶レーダー,気象レーダー向けに8.5-9.8GHzの帯域で出力200W以上,パワーゲイン9dB以上,電力付加効率38%を有する完全50Ω整合型のGaN HEMTをそれぞれ製品化した。これらは,製品化された内部整合型GaN HEMTにおいて世界最高水準の出力電力であり,レーダー送信機の小型化,軽量化,低消費電力化に大きく貢献している。(著者抄録)

シソーラス用語： *HEMT ,  窒化ガリウム ,  電力トランジスタ ,  *出力 ,  周波数帯 ,  SHF【周波数】 ,  *送信機 ,  レーダ ,  整合器
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  *高出力 ,  S帯 ,  X帯 ,  *レーダ送信機 ,  整合回路

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  レーダ  (ND13010H)

引用文献 (9件)：

• URL http://www.sei.co.jp/news/press/14/prs010_s.html
• 井上和孝、佐野征吾、舘野泰範、八巻史一、蛯原要、宇井範彦、川野明弘、出囗博昭、「携帯電話基地局用窒化ガリウム電力増幅器(GaN HEMT)の開発」、 SEIテクニカルレビュー第177号、 pp.97-102 (July 2010)
• T. Yamamoto, E. Mitani, K. Inoue, M. Nishi, and S. Sano, ′′A 9.5-10.5GHz 60W AlGaN/GaN HEMT for X-band High Power Application,′′ Proc. Eur. Microw. Integr. Circuits Conf., pp. 173- 175, Munich, Germany (October 2007)
• M. Nishihara, T. Yamamoto, S. Mizuno, S. Sano, and Y. Hasegawa, ′′X-band 200W AlGaN/GaN HEMT for high power application,′′ Proc. Eur. Microw. Integr, Circuits Conf., pp. 65-68, Manchester, UK (October 2011)
• S. Mizuno, F. Yamada, H. Yamamoto, M. Nishihara, T. Yamamoto, and S. Sano, ′′A 5.9-8.5GHz 20 Watts GaN HEMT,′′ Proc. Asia-Pacific Microwave Conf., pp. 123-126, Yokohama, Japan (December 2010)

タイトルに関連する用語 (5件)： S帯 ,  X帯 ,  レーダー送信機 ,  GaN ,  HEMT