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J-GLOBAL ID：201702271634086463   整理番号：17A0950444

電子輸送層として室温処理GaドープZnOナノ粒子を用いた量子ドット発光ダイオードの性能向上

Enhancing the Performance of Quantum Dot Light-Emitting Diodes Using Room-Temperature-Processed Ga-Doped ZnO Nanoparticles as the Electron Transport Layer

著者 (10件)： CAO Sheng (Ningbo Univ. Technol., Ningbo, CHN) ,  CAO Sheng (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  ZHENG Jinju (Ningbo Univ. Technol., Ningbo, CHN) ,  ZHAO Jialong (Jilin Normal Univ., Siping, CHN) ,  YANG Zuobao (Ningbo Univ. Technol., Ningbo, CHN) ,  LI Chengming (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  GUAN Xinwei (King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU) ,  YANG Weiyou (Ningbo Univ. Technol., Ningbo, CHN) ,  SHANG Minghui (Ningbo Univ. Technol., Ningbo, CHN) ,  WU Tom (King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 18  ページ： 15605-15614  発行年： 2017年05月10日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子ドット発光ダイオード(QD-LED)の性能を向上させることを目的として嵩高い有機配位子を使用せずに,低温加水分解によりGa含有量を0から12原子量%で変えた単分散コロイド様GaドープZnOの合成に成功した。仕事関数が低くテーパーバンド構造を有するGaドープZnO NPを調製した。室温でのスピンコーティングにより何らの後処理をすることなく,簡単に高い導電率と表面平坦性が向上したNP薄膜を調製することができた。時間分解ホトルミネッセンス測定により,GaドープによりZnO NPのフェルミ準位の増加によりCdSe/ZnS量子ドットとドープZnO NP間の界面での電荷移動過程が著しく弱まることを明らかにした。GaドープZnO NPから成る電子輸送層を持つ量子ドット発光ダイオードは最大44,000cd/m²の優れた輝度と13.1cd/Aの平均電流効率(最大電流効率=15cd/A)を持ち,これまでに報告されている最も効率の高い赤色光量子ドット発光ダイオードに匹敵するものであり,高性能オプトエレクトロニクスへの高い応用可能性を示唆している。

シソーラス用語： *電子移動 ,  エレクトロルミネセンス ,  *ナノ粒子 ,  ドーピング ,  ガリウム ,  *発光ダイオード ,  *量子ドット ,  コロイド ,  光ルミネセンス ,  Fermi準位 ,  電流効率 ,  オプトエレクトロニクス ,  電荷移動 ,  *セレン化カドミウム ,  *硫化亜鉛 ,  界面
準シソーラス用語： *電子輸送層 ,  *酸化亜鉛ナノ粒子 ,  ドープ ,  LED ,  単分散 ,  フォトルミネセンス ,  *CdSe ,  *ZnS ,  固固界面

分類 (4件)： コロイド化学一般  (CB11010C) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子輸送層 ,  室温 ,  Ga ,  ドープ ,  ZnOナノ粒子 ,  量子ドット ,  発光ダイオード ,  性能向上