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J-GLOBAL ID：201702271878769514   整理番号：17A0966167

サブ1V CMOS電流基準のためのシミュレーションに基づく設計法【Powered by NICT】

Simulation-based design procedure for sub 1V CMOS current reference

著者 (2件)： Osipov Dmitry (Institute of Electrodynamics and Microelectronics (ITEM), University of Bremen, Germany) ,  Paul Steffen (Institute of Electrodynamics and Microelectronics (ITEM), University of Bremen, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DATE  ページ： 1663-1666  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,回路パラメータを確立する迅速かつ効率的に新しいコンパクトな低電源電流基準とシミュレーションに基づく設計方法を提案する。提案した設計法を検証するために,二種類の基準電流値(80nA,800nA)二一サブV例題回路は0.35μm CMOS技術を用いて設計し,シミュレートした。回路は,外部バンドギャップを必要とせずに電源電圧変動に対してロバストである。サブ1Vからの供給電圧範囲で約1~2%/Vの線感度は両方の場合で達成された。シミュレートした温度係数(TC)値は800nAと80nA参照0°Cの温度範囲で93ppm/Cと197ppm/°Cであった120°Cの範囲であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ロバスト性 ,  回路定数 ,  *CMOS ,  バンドギャップ ,  温度係数 ,  *電流
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  供給電圧 ,  電源電圧 ,  *設計法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  電源回路  (NC05060Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： サブ ,  CMOS ,  シミュレーション ,  設計法