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J-GLOBAL ID：201702272043088810   整理番号：17A1638990

金属支援化学エッチングにより作製したケイ素ナノワイヤアレイに基づいた反射防止サブ波長構造【Powered by NICT】

Antireflection subwavelength structures based on silicon nanowires arrays fabricated by metal-assisted chemical etching

著者 (9件)： Li Bin (Research Center of Laser Fusion, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621000, China) ,  Li Bin (College of Materials Science and Engineering, Southwest University of Science and Technology, Mianyang 621010, China) ,  Niu Gao (Research Center of Laser Fusion, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621000, China) ,  Yi Yong (College of Materials Science and Engineering, Southwest University of Science and Technology, Mianyang 621010, China) ,  Zhou Xiu-wen (Research Center of Laser Fusion, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621000, China) ,  Liu Xu-dong (Research Center of Laser Fusion, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621000, China) ,  Sun Lai-xi (Research Center of Laser Fusion, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621000, China) ,  Wang Chao-yang (Research Center of Laser Fusion, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621000, China) ,  Wang Chao-yang (Science and Technology on Plasma Physics Laboratory, Mianyang 621000, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 111  ページ： 57-64  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,必要なシリコンナノワイヤ(SiNW)アレイを得るために大面積で異なる直径ナノ球リソグラフィー(NSL)を得た。単結晶SiNWはナノ球リソグラフィー(NSL)と金属支援化学エッチング(MACE)を組み合わせて提示した。SiNWアレイの周期はポリスチレン球(PS)の元の直径とNSLプロセス中のエッチング時間を調整することによって制御することができた。得られた特別なSiNW構造はシリコン基板の反射防止特性を改善するために重要であることを実証した。結果は種々のパラメータ,直径,距離と高さのようなSiNWアレイはMACEプロセス,光散乱を減少させるために適切な値適応する異なるパラメータの構造を得るために重要であるが重要なエッチングパラメータを制御することによって得られることを示した。300 1200nmの広い波長範囲で,反射率は10%以下であり,これは超高表面積に起因した。特に,反射防止構造(ARS)表面の反射率は300 400nmの波長範囲で1%以下で減少した。さらに,MACEによって得られた高効率反射防止をもつシリコンナノワイヤ(SiNW)アレイを,高分解能画像,SiNWのARSをさらに改善するための利点であるによるSiNWの頂部と底部から異なる表面粗さを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単結晶 ,  光散乱 ,  反射率 ,  *ケイ素 ,  *波長 ,  *ウェットエッチング ,  *エッチング
準シソーラス用語： 反射防止構造 ,  シリコンウエハ ,  ナノスフィアリソグラフィー ,  大面積 ,  シリコンナノワイヤ ,  *サブ波長構造 ,  *反射防止 ,  *ナノワイヤアレイ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： シリコンナノワイヤ ,  金属支援化学エッチング ,  反射防止 ,  表面粗さ

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 金属支援化学エッチング ,  作製 ,  ケイ素 ,  ナノワイヤアレイ ,  反射防止 ,  サブ波長構造