文献

J-GLOBAL ID：201702272053641363   整理番号：17A0795920

並列SiC MOSFETの電力モジュール内の交差ターンについてのシミュレーションと特性評価【Powered by NICT】

Simulation and Characterization of Cross-Turn-On Inside a Power Module of Paralleled SiC MOSFETs

著者 (3件)： Miao Zichen (Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, VA, USA) ,  Wang Chi-Ming (Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, MI, USA) ,  Ngo Khai D. T. (Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, VA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology  (IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology)
巻： 7  号： 2  ページ： 186-192  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0590B  ISSN： 2156-3950  CODEN： ITCPC8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化けい素ダイスはしばしば高電流定格を持つ電力モジュールを実現するために類似している。相互接続(寄生)インピーダンスの大規模ネットワークのために,末端波形が良性であるが,ダイス経験は偽断面ターンにより発生した故障電流を有害である。ダイス間の電流ストレスとスイッチングエネルギーの不均一分布,断面ターンのによるペナルティ,対ダイス,ゲート抵抗,入力電圧,スイッチング電流の数を定量的に述べた。パッケージのための信頼できるモデルが必要である。これは16個のチップ,124レイアウトインダクタンスと並列抵抗有限要素シミュレーションから抽出した市販電力モジュールを実証した。収束問題を回避するモデリングプロセスを開発し,実験結果を検証した。800V/300Aで試験し,スイッチ当たり六並列ダイスを持つモジュールでは,なしパッケージモデルでシミュレートした断面ターン上に誘起される電流スパイクが11.75倍異なる。ターンについて高圧側スイッチングエネルギーとモジュールの全スイッチングエネルギーを増加し,44%と20%であった。1型,二型,四型,および六型モジュールはダイスの数は断面回転とスイッチングエネルギーをどのように影響するかを調べるために非対称配置に基づいて構築した。モジュールのピーク断面ターンの電流および全スイッチングエネルギーはダイスの数と共に増加した。六金型モジュールのピーク断面ターンオン電流とスイッチングエネルギーは一つのダイモジュールより134%と36%高かった。断面ターンの重症度はダイスの数が増大すると上昇。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  *炭化ケイ素 ,  ターンオン ,  電流 ,  スイッチ ,  故障電流 ,  *MOSFET ,  相互接続 ,  高圧 ,  インピーダンス ,  非対称性
準シソーラス用語： 有限要素シミュレーション ,  スイッチング電流 ,  電流ストレス ,  *パワーモジュール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  MOSFET ,  電力モジュール ,  交差 ,  シミュレーション ,  特性評価