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J-GLOBAL ID：201702272194936743   整理番号：17A1121844

エアロゾルインクジェット印刷され電解質ゲートインジウム酸化物薄膜トランジスタにおける2次元絶縁体-金属転移【Powered by NICT】

2D Insulator-Metal Transition in Aerosol-Jet-Printed Electrolyte-Gated Indium Oxide Thin Film Transistors

著者 (4件)： Xie Wei (Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota, 421 Washington Ave SE, Minneapolis, MN, 55455, USA) ,  Zhang Xin (Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota, 421 Washington Ave SE, Minneapolis, MN, 55455, USA) ,  Leighton Chris (Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota, 421 Washington Ave SE, Minneapolis, MN, 55455, USA) ,  Frisbie C. Daniel (Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota, 421 Washington Ave SE, Minneapolis, MN, 55455, USA)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 3  号： 3  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子密度10~14cm~ 2と10cm~2V~ 1s~ 1の移動度におけるエアロゾルジェット印刷,電解質ゲートIn_2O_3薄膜トランジスタ(TFT)の電子輸送特性と2D絶縁体-金属転移を報告し,基本的な輸送物理学の可能性を示すだけでなく,溶液処理TFTのON電流を最大にする。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化インジウム ,  電子密度 ,  *エアロゾル ,  *薄膜トランジスタ ,  移動度 ,  *インクジェット印刷 ,  電流 ,  *金属-絶縁体転移 ,  *印刷 ,  *電解質 ,  *二次元
準シソーラス用語： 溶液処理 ,  輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： エアロゾル ,  インクジェット印刷 ,  電解質 ,  ゲート ,  インジウム酸化物 ,  薄膜トランジスタ ,  2次元 ,  絶縁体-金属転移