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J-GLOBAL ID：201702272234314347   整理番号：17A1345372

埋込みトンネルダイオード層を持つSOI MOSFETにおける増強された耐放射線性【Powered by NICT】

Enhanced Radiation Hardness in SOI MOSFET With Embedded Tunnel Diode Layer

著者 (11件)： Huang Huixiang (Information Engineering College, Jimei University, Xiamen, China) ,  Wei Sufen (Information Engineering College, Jimei University, Xiamen, China) ,  Tang Kai (Information Engineering College, Jimei University, Xiamen, China) ,  Pan Jinyan (Information Engineering College, Jimei University, Xiamen, China) ,  Xu Wenbin (Information Engineering College, Jimei University, Xiamen, China) ,  Wei Yafen (Information Engineering College, Jimei University, Xiamen, China) ,  Wu Yiliang (Information Engineering College, Jimei University, Xiamen, China) ,  Chen Jinhai (Navigation College, Jimei University, Xiamen, China) ,  Mei Qiang (Navigation College, Jimei University, Xiamen, China) ,  Zhang Zhengxuan (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Geng Li (School of Electronic and Information Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64  号： 8  ページ： 2369-2376  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,部分空乏化シリコン-オン-絶縁体(SOI)MOSFETのための改善されたボディタイ形構造を示した。低順方向バイアスで変性したp-n接合のトンネル電流によって触発されて,トンネルダイオード層は新型ボディタイ形を形成するバックチャネルで挿入した。トンネルダイオード層はイオン注入又はin situシリコン蒸着,存在する市販SOIプロセスと完全に両立するによって調製することができた。導入体接触は衝突イオン化または重イオン照射によって発生する蓄積された多数キャリアのための付加的電流流動経路として働き,臨界基板浮遊効果を減少させた。ソースからドレインに広がっている多量にドープしたトンネルダイオード層は全線量照射硬度を改善し,空間電荷領域のバックゲート閾値電圧と幅減少を増加させるためのSOI MOSFETの前後チャネル結合を抑制した。実験とシミュレーションの結果は,従来のフローティングボディ素子と比較してSOIトランジスタの放射線硬度を高めるのに導入した躯体の有用性を検証タイ。,埋め込まれたトンネルダイオード層を持つSOIデバイスは,衛星搭載応用の有望な候補と考えることができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *耐放射線性 ,  *放射線 ,  重イオン照射 ,  絶縁体 ,  イオン注入 ,  *トンネルダイオード ,  バイアス ,  チャネル ,  *MOSFET ,  空間電荷 ,  電流 ,  PN接合 ,  ドーピング ,  衝突イオン化
準シソーラス用語： 閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 埋込み ,  トンネルダイオード ,  SOI ,  MOSFET ,  増強 ,  耐放射線性