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J-GLOBAL ID：201702272336001063   整理番号：17A0884221

WSe_2に基づく高速電荷トラップメモリの設計エネルギーバンドによる除去Overerase挙動【Powered by NICT】

Eliminating Overerase Behavior by Designing Energy Band in High-Speed Charge-Trap Memory Based on WSe₂

著者 (6件)： Liu Chunsen (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Yan Xiao (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Wang Jianlu (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, 500 Yu Tian Road, Shanghai, 200083, China) ,  Ding Shijin (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Zhou Peng (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Zhang David Wei (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
資料名： Small  (Small)
巻： 13  号： 17  ページ： ROMBUNNO.201604128  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性メモリの新しい概念として,原子結晶電荷トラップメモリは原子レベル平坦界面,近い将来,従来FLASHメモリを置換するための有望な候補となるを有した。ここでは,2D材料WSe_2と3D Al_2O_3/HfO_2/Al_2O_3電荷トラップスタックを組み合わせて,制御ゲートとメモリスタックの分離と電荷捕獲メモリ素子を形成した。この素子では,電荷はビルトイン電場,1μsに書込み速度を顕著に増大することにより消去/書かれている。より重要なことは,エネルギーバンド構造の複雑な設計のために,メモリは,20V以上の大きな電子メモリ窓をもつ電子を捕捉するだけで,13,それらの両方についてのトラップ選択性は2D材料に基づくFLASHメモリにおけるこれまで報告された最高の値である。,従来のFLASHメモリにおける致死的overerase問題ないWSe_2に基づく高性能電荷トラップメモリは実用化を実現できることを実証した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 記憶素子 ,  高速度 ,  *電荷 ,  不揮発性メモリ ,  *記憶装置 ,  結晶 ,  三次元 ,  界面
準シソーラス用語： 内部電場 ,  *エネルギー帯 ,  *電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電荷捕獲メモリ ,  高書込み速度 ,  overerase現象 ,  WSe2

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電荷トラップ ,  設計 ,  エネルギーバンド ,  挙動