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J-GLOBAL ID：201702272756532543   整理番号：17A1344691

原子層堆積によるYVO_4:Yb~3+薄膜における強い近赤外発光【Powered by NICT】

Intense NIR emission in YVO₄:Yb³⁺ thin films by atomic layer deposition

著者 (6件)： Getz Michael N. (Department of Chemistry, Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, Sem Saelandsvei 26, 0371 Oslo, Norway. [e-mail]) ,  Hansen Per-Anders ,  Fjellvag Oystein S. ,  Ahmed Mohammed A. K. ,  Fjellvag Helmer ,  Nilsen Ola
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 33  ページ： 8572-8578  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1000°Cでの堆積後アニーリング後のUV励起下で強いNIR発光を示すYVO_4:Yb~3+薄膜の原子層堆積による制御された堆積を実証した。試料は260と300°Cの間の堆積温度でO_3(thd=2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオン)の前駆体組み合わせYb(thd)3,Y(thd)3,およびVO(thd)2を用いて蒸着した。NIR発光は,一つのUV光子は二NIR光子に変換する量子分裂プロセスに起因すると期待されている。本論文では,作製した膜における近赤外変換へのUVの効率を評価し,NIR発光強度に関して最適パルスパラメータを決定した。人工コア-シェル型構造を生成する可能性を検証するためにA LDによる結晶YVO_4:YbVO_4層状材料の合成を実証した。構造,厚さ,と堆積した膜の組成を,X線回折,偏光解析法,および蛍光X線で調べた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *近赤外線 ,  偏光解析法 ,  前駆体 ,  結晶 ,  焼なまし ,  固有X線 ,  紫外線 ,  積層材料 ,  励起 ,  光子 ,  *薄膜 ,  X線回折 ,  *発光
準シソーラス用語： 発光強度 ,  *ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 発光素子  (NC03082G) ,  錯体のルミネセンス  (BM08095R) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  第3族元素の錯体  (CE01060J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 原子層堆積 ,  薄膜 ,  近赤外発光