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J-GLOBAL ID：201702272758692037   整理番号：17A1637531

Sn-Agはんだバンプにおける板状Ni-Sn金属間化合物の特性化【Powered by NICT】

Characterization of plate-like Ni-Sn intermetallic compounds in Sn-Ag solder bump

著者 (7件)： Kang Hanbyul (Foundry Business, Samsung Electronics, Samsung 2-ro, Giheung-gu, Yongin-si, Gyeonggi-do 446-711 Korea) ,  Lee Miji (Foundry Business, Samsung Electronics, Samsung 2-ro, Giheung-gu, Yongin-si, Gyeonggi-do 446-711 Korea) ,  Park Sangkwon (Foundry Business, Samsung Electronics, Samsung 2-ro, Giheung-gu, Yongin-si, Gyeonggi-do 446-711 Korea) ,  Ha Sangsu (Foundry Business, Samsung Electronics, Samsung 2-ro, Giheung-gu, Yongin-si, Gyeonggi-do 446-711 Korea) ,  Kim Gunrae (Foundry Business, Samsung Electronics, Samsung 2-ro, Giheung-gu, Yongin-si, Gyeonggi-do 446-711 Korea) ,  Shin Sangchul (Foundry Business, Samsung Electronics, Samsung 2-ro, Giheung-gu, Yongin-si, Gyeonggi-do 446-711 Korea) ,  Pae Sangwoo (Foundry Business, Samsung Electronics, Samsung 2-ro, Giheung-gu, Yongin-si, Gyeonggi-do 446-711 Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分解能3次元X線顕微鏡および透過型電子顕微鏡を用いたSn-0.3wt.%Agはんだバンプ中の板状Ni-Sn IMCを特性化した。二種類板状IMC(タイプ1および2)の,はんだバンプで観察された。1型はNiSn_4,Ni_3Sn_4IMCとNiから構成されている。2型は板状NiSn_3IMCから構成されている。準安定NiSn_4とNiSna IMCの結晶構造は斜方晶系(oC20)と正方晶(I4/mcm)であった。有意差は1型および2型の両方は,NiとSnの分布を有していたことである。NiとSnは板状NiSn_4IMCとNiの混合物に部分的に分離した(NiリッチとSnリッチ)が,NiとSnは板状NiSn_3IMC上に均一に分布した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  斜方晶系 ,  *ニッケル ,  結晶構造 ,  *スズ ,  *金属間化合物 ,  透過型電子顕微鏡 ,  高分解能 ,  三次元 ,  X線顕微鏡 ,  正方晶系
準シソーラス用語： 有意差 ,  *はんだバンプ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電気めっき  (WC08023B) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： Sn ,  Ag ,  はんだバンプ ,  Ni ,  金属間化合物 ,  特性化