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J-GLOBAL ID：201702272789108413   整理番号：17A1810982

二重モードプラズマ反応器の予期しない結果 窒化シリコンによる実験室記録のシリコン表面不動態化向上のための示唆

Unintentional consequences of dual mode plasma reactors: Implications for upscaling lab-record silicon surface passivation by silicon nitride

著者 (4件)： TONG Jingnan (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  TO Alexander (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  LENNON Alison (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  HOEX Bram (Univ. New South Wales, NSW, AUS)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 8S2  ページ： 08MB12.1-08MB12.5  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *プラズマ装置 ,  *反応器 ,  *窒化ケイ素 ,  *ケイ素 ,  *不動態化 ,  アーチファクト ,  *多層膜 ,  電圧 ,  プラズマCVD ,  速度
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  プラズマ蒸着 ,  *プラズマ反応器 ,  *二層構造 ,  表面再結合速度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 二重モード ,  プラズマ反応器 ,  予期 ,  窒化シリコン ,  実験室 ,  シリコン ,  表面不動態化