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J-GLOBAL ID：201702272796874224   整理番号：17A1273397

パワーモジュール中のSiC MOSFETの可能性を利用する高効率アプローチ【Powered by NICT】

High efficient approach to utilize SiC MOSFET potential in power modules

著者 (5件)： Kasko Igor (Research and Development Chips and Modules, Semikron Elektronik GmbH &Co. KG, Nuremberg, Germany) ,  Berberich Sven E. (Research and Development Chips and Modules, Semikron Elektronik GmbH &Co. KG, Nuremberg, Germany) ,  Gross Michael (Research and Development Chips and Modules, Semikron Elektronik GmbH &Co. KG, Nuremberg, Germany) ,  Beckedahl Peter (Research and Development Chips and Modules, Semikron Elektronik GmbH &Co. KG, Nuremberg, Germany) ,  Buetow Sven (Research and Development Chips and Modules, Semikron Elektronik GmbH &Co. KG, Nuremberg, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISPSD  ページ： 259-262  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チップ,組立技術とモジュール設計の最適化から利益を受けて全体論的アプローチを用いて,SiCパワーモジュールの性能可能性を利用することであった。超低インダクタンス(1.4nH)をもつ新しいMOSFET SiCモジュール(1200V, 400A)はSemikron DPD(直接プレス金型)技術を用いて設計し,組み立てた。電気測定は,優れたスイッチング性能(スイッチング速度di/dtのdv/dtと~67kA/μsの~53kV/μsまで)と非常に低いエネルギー損失(技術SiベースIGBTモジュールの状態よりも80%低い)を示した。強化された信頼性は,電力サイクル試験(SiCデバイスの従来の組立と比較して8~10x寿命改善)によって実証された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信頼性 ,  エネルギー損失 ,  モジュラ設計 ,  電力 ,  電気測定 ,  *炭化ケイ素 ,  *ケイ素 ,  繰返し試験 ,  接続品質 ,  *MOSFET ,  IGBT ,  インダクタンス
準シソーラス用語： スイッチング速度 ,  *高効率 ,  *パワーモジュール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： パワーモジュール ,  SiC ,  MOSFET ,  可能性 ,  高効率