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J-GLOBAL ID：201702272861422338   整理番号：17A0991536

Bi_1-xSb_x薄膜の熱電特性に及ぼす組成の影響

Influence of Composition on the Thermoelectric Properties of Bi_1-xSb_x Thin Films

著者 (5件)： ROGACHEVA E. I. (National Technical Univ. “Kharkov Polytechnic Inst.”, Kharkov, UKR) ,  NASHCHEKINA O. N. (National Technical Univ. “Kharkov Polytechnic Inst.”, Kharkov, UKR) ,  ORLOVA D. S. (National Technical Univ. “Kharkov Polytechnic Inst.”, Kharkov, UKR) ,  DOROSHENKO A. N. (National Technical Univ. “Kharkov Polytechnic Inst.”, Kharkov, UKR) ,  DRESSELHAUS M. S. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 7  ページ： 3821-3825  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： これまでに,多結晶バルクBi_1-xSb_x固溶体の熱電(TE)特性の濃度依存性の非単調挙動を明らかにし,これらの特異性が固溶体におけるパーコレーション効果,ギャップレス状態への移行,および半金属-半導体遷移によるものとした。本論文では,このTE特性の特異性が薄膜においても再現することを示した。実験には,マイカ基板上にBi_1-xSb_x結晶(x=0~0.09)を熱蒸着することによって生成した250~300nmの厚さのBi_1-xSb_x薄膜を用いた。x<0.04の薄膜では,Hall係数が正のサインである一方,ゼーベック係数は負のサインであることを見出した。

シソーラス用語： ビスマス化合物 ,  アンチモン化合物 ,  半金属 ,  *金属薄膜 ,  固溶体 ,  *電気特性 ,  組成 ,  濃度依存性 ,  パーコレーション ,  係数 ,  輸送係数 ,  *熱電素子
準シソーラス用語： *半金属薄膜 ,  *熱電特性 ,  Hall係数 ,  Seebeck係数

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  電気的性質  (WB02010Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  熱電特性 ,  組成