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J-GLOBAL ID：201702272932645810   整理番号：17A0993730

SOIモノリシックICのための新しい高電圧相互接続遮蔽法【Powered by NICT】

A new high-voltage interconnection shielding method for SOI monolithic ICs

著者 (10件)： Zhang Long (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China) ,  Zhu Jing (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China) ,  Sun Weifeng (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China) ,  Sun Weifeng (Collaborative Innovation Center of IC Design and Manufacturing of Yangtze River Delta, Shanghai 200433, China) ,  Huang Xuequan (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China) ,  Zhao Minna (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China) ,  Chen Jiajun (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China) ,  Shi Longxing (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China) ,  Chen Jian (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China) ,  Ding Desheng (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 133  ページ： 25-30  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層金属は,コストを低下させるために使用されるとき,高電圧相互接続(HVI)問題は,高電圧モノリシックICに厳しくなっている。破壊電圧に及ぼすHVIの影響を遮蔽するため500Vシリコン・オン・インシュレータ横方向絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(SOI LIGBT)のための二重深い酸化物トレンチ(DDOT)構造を提案した。従来DDOT構造と比較して,提案したDDOT構造のHVI領域は浅いトレンチ(T_1)と深いトレンチ(T_2)を用いたによって減少していた。オフ状態における絶縁破壊機構に加えて,提案した構造のオン状態の電流密度と衝突イオン化率分布も調べた。実験は,提案したDDOT構造はHVI下のシリコン領域の面積の有意な低下とHVIの影響を完全に保護できることを示した。従来DDOT構造としての550Vの同じオフ状態破壊電圧(BV_off)ほぼにより,提案した構造のHVI下のシリコン領域の長さは45μmから15μmまでの短縮された。一方,オン状態絶縁破壊電圧(BV_on)分解を測定結果に基づいて観察されなかった。本研究で提案した新しい方法もSOIモノリシックICにおけるLDMOSとフリーホィーリングダイオードのような高電圧デバイスの他のタイプに用いることができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流密度 ,  *半導体集積回路 ,  衝突イオン化 ,  IGBT ,  絶縁破壊 ,  *相互接続 ,  ケイ素 ,  酸化物 ,  単一層
準シソーラス用語： LDMOS ,  オン状態 ,  オフ状態 ,  トレンチ ,  絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SOI-LIGBT ,  高電圧相互接続 ,  二重トレンチ ,  絶縁破壊電圧 ,  オン状態絶縁破壊

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： SOI ,  モノリシックIC ,  高電圧 ,  相互接続 ,  遮蔽