文献

J-GLOBAL ID：201702273101009436   整理番号：17A0132856

半極性AlGaN/GaN量子井戸のサブバンド間遷移特性への変調ドーピング効果の理論解析

Theoretical analysis of modulation doping effects on intersubband transition properties of semipolar AlGaN/GaN quantum well

著者 (5件)： Fu Houqiang (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, USA) ,  Chen Hong (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, USA) ,  Huang Xuanqi (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, USA) ,  Lu Zhijian (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, USA) ,  Zhao Yuji (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 1  ページ： 014501-014501-9  発行年： 2017年01月07日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *極性 ,  *窒化ガリウム ,  *アルミニウム化合物 ,  *量子井戸 ,  *電子遷移 ,  *変調ドーピング ,  *吸収スペクトル ,  バンド構造 ,  δドーピング ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *サブバンド間遷移 ,  バンド曲がり ,  *窒化ガリウムアルミニウム ,  *半極性

分類 (1件)： 結晶中の局在電子構造  (BM02090U)

タイトルに関連する用語 (8件)： 半極性 ,  AlGaN ,  GaN ,  量子井戸 ,  サブバンド間遷移 ,  変調 ,  ドーピング効果 ,  理論解析