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J-GLOBAL ID：201702273210669446   整理番号：17A0361455

太陽電池のための溶解度ギャップ内での微斜面GaAs(001)基板上に成長させた格子整合したGaInAsPの成長【Powered by NICT】

Growth of lattice-matched GaInAsP grown on vicinal GaAs(001) substrates within the miscibility gap for solar cells

著者 (6件)： Oshima Ryuji (National Renewable EnergyLaboratory, Golden, Colorado 80401, USA) ,  Oshima Ryuji (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  France Ryan M. (National Renewable EnergyLaboratory, Golden, Colorado 80401, USA) ,  Geisz John F. (National Renewable EnergyLaboratory, Golden, Colorado 80401, USA) ,  Norman Andrew G. (National Renewable EnergyLaboratory, Golden, Colorado 80401, USA) ,  Steiner Myles A. (National Renewable EnergyLaboratory, Golden, Colorado 80401, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 458  ページ： 1-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 組成は溶解度ギャップ内にあるために有機金属気相エピタクシーによる第四Ga_0 0.68In_0 0.32As_0 0.35P_0 0.65の成長は成長条件に非常に敏感である。本研究では,太陽電池への応用のためのGaAs(001)上に成長させた1μm厚さの格子整合GaInAsP膜を作製した。合金の材料品質上の吸着原子の表面拡散の影響を特性化するために,成長温度と基板のミスカットを変化させた。透過型電子顕微鏡と二次元その場マルチビーム光学応力は650°C以下の成長温度はCuPt_B原子秩序の形成を増大させ,物質分解,これは成長表面で起こることが分かっているを抑制することを決定した。二乗平均(RMS)粗さは,650°C,原子間力顕微鏡により決定した750°Cで1.62nmから33.6nmに減少した。初期研究はRMS粗さは増加したミスカット角を用いてさらに縮小できることを示し,(111)A方向へのミスカットを基質,(111)Aに向かってGaAsミスカット6°Cに600°Cで成長させた試料の0.56nmのRMS粗さをもたらすこれらの条件を用いて,短絡電流密度,開回路電圧,曲線因子,および12.23mA~2,1.12V,86.18%,と11.80%の効率で反射防止膜を持たない逆ヘテロ接合1.62eV Ga_0 0.68In_0 0.32As_0 0.35P_0 0.65太陽電池を作製した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 原子間力顕微鏡 ,  *格子整合 ,  透過型電子顕微鏡 ,  キャラクタリゼーション ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  反射防止膜 ,  二次元 ,  MOCVD ,  ヘテロ接合 ,  *ヒ化ガリウム ,  *太陽電池
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  ミスカット ,  成長温度 ,  *溶解度ギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A3有機金属気相エピタクシー ,  B1合金 ,  B2半導性四元合金 ,  B3太陽電池

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 太陽電池 ,  溶解度ギャップ ,  微斜面 ,  GaAs ,  成長 ,  格子整合 ,  GaInAsP