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J-GLOBAL ID:201702273300498068   整理番号:17A1239132

ボトムゲートFET配置による懸濁個々のSWCNT特性化【Powered by NICT】

Suspended individual SWCNT characterization via bottom gate FET configuration
著者 (7件):
資料名:
巻: 59  号: 10  ページ: 2610-2614  発行年: 2017年 
JST資料番号: T0712A  ISSN: 0895-2477  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ボトムゲート電界効果トランジスタ(FET)配置の懸濁した準金属個々の単層カーボンナノチューブ(SWCNTs)のマイクロ波透過特性を,異なるゲートバイアス電圧下での標準ポートSパラメータ測定による10GHzまで調べた。テーパ付きコプレーナ導波路(CPW)伝送線路試験固定具は,寄生とミスマッチ問題を克服するように設計されている。SWCNTsの固有の特性を抽出するために適用した開放による埋込みアルゴリズム。また等価回路モデルをボトムゲートバイアス電圧の関数として抽出された測定データに適合させるために提案した,高周波ナノ回路へのCNTsの応用を促進した。トランジスタ素子の特性は時間の期間後に変化することが分かった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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電磁気学一般 
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