Mogilatenko A. について
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik Berlin, Germany について
Mogilatenko A. について
Humboldt Universitaet zu Berlin, Institut fuer Physik, Berlin, Germany について
Knauer A. について
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik Berlin, Germany について
Zeimer U. について
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik Berlin, Germany について
Hartmann C. について
Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany について
Oppermann H. について
Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany について
Weyers M. について
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik Berlin, Germany について
Journal of Crystal Growth について
ケイ素 について
ドーピング について
エピタクシー について
サファイア について
欠陥密度 について
パターン形成 について
窒化アルミニウム について
貫通転位 について
中間層 について
トレンチ について
横方向成長 について
A1線欠陥 について
A1:ドーピング について
A3:Metalorganic化学蒸着 について
A3:エピタキシャル横方向被覆成長 について
B1:窒化アルミニウム について
半導体薄膜 について
エピタキシャル について
横方向被覆成長 について
AlN について
テンプレート について
けい素 について
誘起 について
欠陥 について