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J-GLOBAL ID：201702273565068577   整理番号：17A1651335

ナノ結晶グラファイト(NCG)/p型シリコンSchottkyダイオードパラメータの異なる抽出技術の研究【Powered by NICT】

A study of different extraction techniques of nanocrystalline graphite (NCG)/p-type silicon schottky diode parameters

著者 (6件)： Nawawi A.A. (Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia (UTM), 81310 Skudai, Malaysia) ,  Sultan S.M. (Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia (UTM), 81310 Skudai, Malaysia) ,  Rahman S.F.A. (Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia (UTM), 81310 Skudai, Malaysia) ,  Pu S.H. (University of Southampton Malaysia Campus, Nusajaya 79200, Johor, Malaysia) ,  McBride J.W. (University of Southampton Malaysia Campus, Nusajaya 79200, Johor, Malaysia) ,  Wah L. H. (MIMOS Berhad, Technology Park Malaysia, Kuala Lumpur 57000, Malaysia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： RSM  ページ： 119-122  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,電流-電圧特性に基づくナノ結晶グラファイト(NCG)/p型シリコンSchottky障壁ダイオードのSchottky障壁高さと理想因子抽出技術の研究を示した。12.5Ωの直列抵抗はI-Vプロットの直線勾配から得られた。直列抵抗を考慮に入れることにより,のグラフあてはめ法種々の方法を検討した。本実験では,Schottky障壁高さ(SBH)はグラフェン/Si Schottkyダイオードのための文献で見つかった値より低いことが分かった,詳細に議論する。しかし,1.1の理想因子は逆方向バイアスI-Vプロットを用いて達成した。NCG/p Si Schottkyダイオードとそれに続く熱電子放出機構を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノ結晶 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  グラフェン ,  *ダイオード ,  電流 ,  *グラファイト ,  バイアス ,  熱電子放出
準シソーラス用語： 直列抵抗 ,  理想因子 ,  Schottky障壁高さ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノ結晶 ,  グラファイト ,  p型シリコン ,  Schottkyダイオード ,  パラメータ ,  研究