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J-GLOBAL ID：201702273679837600   整理番号：17A1967768

EモードGaN MOS-HEMTのドレイン電流LFNとそのモデル開発に及ぼすトラップ密度の影響【Powered by NICT】

Effects of trap density on drain current LFN and its model development for E-mode GaN MOS-HEMT

著者 (2件)： Panda D.K. (Microelectronics and VLSI Design Group, Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Assam, 788010, India) ,  Lenka T.R. (Microelectronics and VLSI Design Group, Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Assam, 788010, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 112  ページ： 374-382  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿ではEモードGaN MOS-HEMTのドレイン電流低周波雑音(LFN)はIFM基づくTCADシミュレーションによる種々のトラップ密度を持つSiO_2,Al_2O_3/Ga_2O_3/GdO_3,HfO_2/SiO_2,La_2O_3/SiO_2とHfO_2のような種々のゲート絶縁体について調べた。これを解析するためにドレイン電流低周波雑音の解析モデルを開発した。モデルは移動度に及ぼす2DEGキャリアゆらぎ,移動度ゆらぎと2DEG電荷キャリアゆらぎの影響を考慮して開発した。異なるゲート絶縁体の研究では,キャリア変動が支配的な低周波雑音源であり,不均一指数分布であるLFN挙動を説明するために重要であることを観察されたので,解析モデルはトラップ密度の均一な分布を考慮して開発した。モデルを文献から利用できる実験データを用いて検証した。トラップの総数と異なるゲート誘電体に起因して,この低周波雑音に及ぼすゲート長スケーリングの影響についても検討した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 指数分布 ,  ゆらぎ ,  解析モデル ,  ゲート絶縁膜 ,  移動度 ,  低周波雑音 ,  二次元電子ガス ,  シミュレーション ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT
準シソーラス用語： ゲート長 ,  電荷キャリア ,  TCAD ,  *トラップ密度 ,  *ドレイン電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2DEG ,  GaN ,  高K ,  MOS-HEMT ,  TCAD

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  MOS ,  HEMT ,  ドレイン電流 ,  モデル ,  開発 ,  トラップ密度