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J-GLOBAL ID：201702273780124152   整理番号：17A1250287

「漏れ誘電」炭素ドープAlGaN/GaNH EMTにおける動的R_ONの抑制のためのモデル【Powered by NICT】

“Leaky Dielectric” Model for the Suppression of Dynamic $R_{¥mathrm{ON}}$ in Carbon-Doped AlGaN/GaN HEMTs

著者 (7件)： Uren Michael J. (Center for Device Thermography and Reliability (CDTR), H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.) ,  Karboyan Serge (Center for Device Thermography and Reliability (CDTR), H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.) ,  Chatterjee Indranil (CDTR, University of Bristol, Bristol, U.K.) ,  Pooth Alexander (Center for Device Thermography and Reliability (CDTR), H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.) ,  Moens Peter (ON Semiconductor, Oudenaarde, Belgium) ,  Banerjee Abhishek (ON Semiconductor, Oudenaarde, Belgium) ,  Kuball Martin (Center for Device Thermography and Reliability (CDTR), H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 7  ページ： 2826-2834  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素をドープしたエピタクシーを用いたGaN-on-Si電力スイッチングトランジスタは動的R_ON分散に非常に弱い,減少したスイッチング効率をもたらした。本論文では,著者らは素子特性に及ぼすそれらの影響を同定するためのエピタクシーとシミュレーションにおける漏れ経路とトラッピング位置を分離するために基板バイアスランプを用いてこの分散の原因を同定した。漏れは垂直方向と縦方向の両方向起こり得ることが示され,これはバルク輸送だけでなく,拡張欠陥だけでなくヘテロ接合における正孔ガスと関係することを示す。厳密に同じエピタキシャル設計には,「漏れ誘電」モデルを用いて示し漏れ経路に依存して,動的R_ON分散は重要と無限の間で変化できることである。最適漏れ構成は緩衝液スタック内の深さと共に増加する抵抗率を必要とする分散を最小化するために同定した。ドープしていないGaNチャネルを通る漏水は全ゲートドレインギャップへの,及び接触下でだけでなく必要であることを示したが,分散を完全に抑制した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  電気抵抗率 ,  *ドーピング ,  電力 ,  チャネル ,  *炭素 ,  ヘテロ接合 ,  スイッチングトランジスタ ,  エピタクシー ,  正孔 ,  スイッチング
準シソーラス用語： 拡張欠陥 ,  基板バイアス ,  トラッピング ,  デバイス特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 漏れ ,  炭素 ,  ドープ ,  AlGaN ,  EMT ,  モデル