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J-GLOBAL ID：201702273834269920   整理番号：17A1774267

大面積(150mm)高電圧(6.5kV)逆導通IGCT【Powered by NICT】

Large area (150mm) high voltage (6.5kV) reverse conducting IGCT

著者 (7件)： Stiasny Thomas (ABB Switzerland Ltd., Semiconductors, Fabrikstrasse 3, 5600 Lenzburg, Switzerland) ,  Vemulapati Umamaheswara Reddy (ABB Switzerland Ltd., Corporate Research, Segelhofstrasse 1K, 5405 Baden-Daettwil, Switzerland) ,  Wikstrom Tobias (ABB Switzerland Ltd., Semiconductors, Fabrikstrasse 3, 5600 Lenzburg, Switzerland) ,  Waltisberg Christoph (ABB Switzerland Ltd., Semiconductors, Fabrikstrasse 3, 5600 Lenzburg, Switzerland) ,  Frecker Mark (ABB Switzerland Ltd., Semiconductors, Fabrikstrasse 3, 5600 Lenzburg, Switzerland) ,  Steimer Peter (ABB Switzerland Ltd., Corporate Research, Segelhofstrasse 1K, 5405 Baden-Daettwil, Switzerland) ,  Rahimo Munaf (ABB Switzerland Ltd., Semiconductors, Fabrikstrasse 3, 5600 Lenzburg, Switzerland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EPE’17 ECCE Europe  ページ： P.1-P.8  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大面積(150mm)高電圧(6.5kV)逆導電性集積化ゲート転流サイリスタ(RC IGCT)は,低周波高出力エレクトロニクス応用のために開発した。デバイスは活性面積比1.4をdiodeにGCTを用いて作製した。RC IGCTウエハはゲート信号のための漂遊インピーダンスを最小化し,デバイスの熱挙動を改善するために外リングゲート構造で設計した。さらに,HPT+(高出力技術)プラットフォームは,デバイスの安全動作領域(高制御可能なターンオフ電流能力を達成するために)を増加させるGCT部分で使用されている。本論文では,GCT(スイッチ)-および動作のダイオードモードの両方における伝導とターンオフ中の150mm,6.5kV RC IGCTの測定結果を示した。添加では,スイッチモードにおける最新技術6.5kV HiPak IGBTモジュールを用いた150mm,6.5kV RC IGCTの技術トレードオフ曲線を比較した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： LF【周波数】 ,  IGBT ,  電子技術 ,  インピーダンス ,  導電性 ,  サイリスタ ,  *ターンオフ ,  電流 ,  スイッチ
準シソーラス用語： 安全動作領域 ,  熱挙動 ,  高出力 ,  *IGCT ,  *大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 大面積 ,  高電圧 ,  導通 ,  IGCT