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J-GLOBAL ID：201702273985995020   整理番号：17A0465647

マグネトロンスパッタ法により作製したMgO/Au複合薄膜の電子誘起二次電子放出特性

Electron-Induced Secondary Electron Emission Properties of MgO/Au Composite Thin Film Prepared by Magnetron Sputtering

著者 (6件)： LI Jie (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  HU Wenbo (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  WEI Qiang (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  WU Shengli (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  HUA Xing (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  ZHANG Jintao (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 3  ページ： 1466-1475  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化マグネシウム(MgO)は,高い電子またはイオン誘起二次電子放出係数のため,一種の二次電子放出(SEE)材料として,電子増倍管,交差電界増幅器およびプラズマディスプレイパネルなどの多くの電子デバイスに広く使用されている。様々な方法で堆積されたMgO薄膜は,一般的に使用される二次電子エミッタの1つである。本研究では,MgO/Au複合薄膜の重要なプロセスパラメータが表面モフォロジーと電子誘起SEE特性に及ぼす影響を調べた。MgO/Au複合薄膜の表面モフォロジーとSEE特性に対するバッファ層の影響とMgOとAuの蒸着時間を調べた。実験結果は,NiOバッファ層を基板上に堆積させることが,格子整合に起因するMgO粒子のその後の成長に有利であることを示した。金添加は,MgO/Au複合膜形成時のMgO結晶化を阻害し,金粒子の表面および隣接する金粒子間の隙間にMgO粒子が形成された。さらに,金の堆積は,複合薄膜の表面粗さおよび電気伝導度に影響を及ぼした。したがって,NiOバッファ層を有するMgO/Au複合膜は,良好なMgO結晶化,低い表面粗さ及び適度な導電性により,優れたSEE特性を達成することができた。

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  *酸化マグネシウム ,  金 ,  *複合膜 ,  *二次電子放出 ,  モルフォロジー ,  *表面構造 ,  導電性
準シソーラス用語： マグネトロンスパッタ ,  表面モルフォロジー

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  Auger電子放出,二次電子放出  (BM09040O)

タイトルに関連する用語 (8件)： マグネトロンスパッタ法 ,  作製 ,  MgO ,  Au ,  薄膜 ,  電子 ,  誘起 ,  二次電子放出