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J-GLOBAL ID：201702274107599396   整理番号：17A0513663

強誘電性バナジウム添加ZnOにおける単極抵抗スイッチングの高抵抗状態保持に対する内部電場の影響

Effect of internal field on the high resistance state retention of unipolar resistance switching in ferroelectric vanadium doped ZnO

著者 (6件)： Wu Changjin (Department of Physics and Oxide Research Center, Hankuk University of Foreign Studies, Yongin 17035, South Korea) ,  Jia Yuefa (Department of Physics and Oxide Research Center, Hankuk University of Foreign Studies, Yongin 17035, South Korea) ,  Shin Yeong Jae (Center for Correlated Electron Systems, Institute for Basic Science (IBS), Seoul 08826, South Korea) ,  Noh Tae Won (Center for Correlated Electron Systems, Institute for Basic Science (IBS), Seoul 08826, South Korea) ,  Chae Seung Chul (Department of Physics Education, Seoul National University, Seoul 08826, South Korea) ,  Liu Chunli (Department of Physics and Oxide Research Center, Hankuk University of Foreign Studies, Yongin 17035, South Korea)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 14  ページ： 143502-143502-5  発行年： 2017年04月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： スイッチング ,  *記憶装置 ,  *電場 ,  強誘電性 ,  バナジウム ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  空格子点
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング ,  *抵抗スイッチングメモリ ,  *内部電場 ,  酸化物半導体 ,  酸素空孔

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 強誘電性 ,  バナジウム ,  ZnO ,  極 ,  抵抗スイッチング ,  内部電場