単層遷移金属ジカルコゲナイド/金属酸化物ヘテロ構造における界面相互作用および電子物性と光学特性への影響:MX<sub>2</sub>/CeO<sub>2</sub>の場合

YANG Ke; HUANG Wei-Qing; HU Wangyu; HUANG Gui-Fang; WEN Shuangchun

文献

J-GLOBAL ID：201702274186073537 整理番号：17A0953424

単層遷移金属ジカルコゲナイド/金属酸化物ヘテロ構造における界面相互作用および電子物性と光学特性への影響:MX₂/CeO₂の場合

Interfacial interaction in monolayer transition metal dichalcogenide/metal oxide heterostructures and its effects on electronic and optical properties: The case of MX₂/CeO₂

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資料名：
巻： 10 号： 1 ページ： 011201.1-011201.4 発行年： 2017年01月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本研究では,密度汎関数理論(DFT)を用いて,単層MX₂(M=Mo,W;X=S,Se)/CeO₂ヘテロ構造における界面相互作用および電子物性と光学特性に及ぼす影響を系統的に調べた。MX₂/CeO₂ヘテロ構造における界面相互作用は,カルコゲンに大きく依存し,その強度が,ヘテロ構造のバンド端におけるバンドギャップ変動および重要な電子状態を決定していた。同じカルコゲンを有するMX₂/CeO₂ヘテロ構造は,紫外領域から近赤外領域まで同様の吸収スペクトルを示した。これらの結果は,カルコゲンが,MX₂/金属酸化物ヘテロ構造の特性を決定することを示唆している。(翻訳著者抄録)

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界面の電気的性質一般 , 表面の電子構造 , 光物性一般 , 数値計算

引用文献 (37件)：

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Y. Liu, N. O. Weiss, X. Duan, H. C. Cheng, Y. Huang, and D. Xiangfeng, Nat. Rev. Mater. 1, 16042 (2016).
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S. Mouri, Y. Miyauchi, and K. Matsuda, Appl. Phys. Express 9, 055202 (2016).
X. Y. Zhou, Y. M. Liu, M. Zhou, H. H. Shao, and G. H. Zhou, Appl. Phys. Express 7, 021201 (2014).

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単層遷移金属ジカルコゲナイド/金属酸化物ヘテロ構造における界面相互作用および電子物性と光学特性への影響:MX2/CeO2の場合

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