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J-GLOBAL ID：201702274189973943   整理番号：17A1603969

半極性(11<span style=text-decoration:overline>2</span>2)GaNにおける貫通欠陥のブロッキングのためのin situでのサイト特異的ガリウム充填とナノ粒子成長

In Situ Site-Specific Gallium Filling and Nanograin Growth for Blocking of Threading Defects in Semipolar (11<span style=text-decoration:overline>2</span>2) GaN

著者 (16件)： WU Zhengyuan (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  WU Zhengyuan (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  SONG Pengyu (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  SONG Pengyu (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  SHIH Tienmo (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  SHIH Tienmo (CKX Lab., Changkeng, CHN) ,  PANG Linna (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN) ,  CHEN Li (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  LIN Guangyang (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  LIN Dingqu (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  LI Cheng (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  LIU Ran (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  SHEN Wenzhong (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN) ,  KANG Junyong (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  FANG Zhilai (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  FANG Zhilai (Fudan Univ., Shanghai, CHN)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 17  号： 9  ページ： 4687-4693  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面原子構造とGibbs自由エネルギーの理論に基づき,矢のような構造体上へのGaリッチなアイランドのin situでのサイト特異的成長により,欠陥の伝搬を防ぐ界面改質法を開発した。サイト特異的なGa充填,核形成,およびGaリッチなアイランドの成長を支配するメカニズムを特定した。X線光電子分光法とKOHエッチングにより,Gaリッチな表面と欠陥を埋め込んだアイランドを確認した。X線回折とRaman測定により,低い基底面積層欠陥密度と低い貫通転位密度の半極性GaN膜が得られたことが判明した。結晶品質の改善により,向上したフォトルミネセンス特性が得られた。

シソーラス用語： *極性 ,  転位密度 ,  *ガリウム ,  *ナノ粒子 ,  原子構造 ,  Gibbs自由エネルギー ,  表面改質 ,  X線光電子分光法 ,  エッチング ,  X線回折 ,  *積層欠陥 ,  光ルミネセンス ,  品質 ,  窒化ガリウム ,  *成長
準シソーラス用語： *半極性 ,  貫通転位密度 ,  結晶品質 ,  *粒子成長

分類 (1件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 半極性 ,  GaN ,  欠陥 ,  ブロッキング ,  ガリウム ,  粒子成長